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      ST意法半導(dǎo)體 場效應(yīng)管 STF7NM60N

      品牌
      st
      批號
      18+
      封裝
      to-220-3
      數(shù)量
      1800
      制造商
      stmicroelectronics
      產(chǎn)品種類
      mosfet管
      rohs

      技術(shù)
      si
      安裝風(fēng)格
      through hole
      封裝 / 箱體
      to-220-3
      晶體管極性
      n-channel
      通道數(shù)量
      1 channel
      vds-漏源極擊穿電壓
      600 v
      id-連續(xù)漏極電流
      5 a
      rds on-漏源導(dǎo)通電阻
      900 mohms
      vgs - 柵極-源極電壓
      25 v
      vgs th-柵源極閾值電壓
      3 v
      qg-柵極電荷
      12 nc
      工作溫度
      + 150 c
      pd-功率耗散
      20 w
      商標(biāo)名
      mdmesh
      封裝
      tube
      配置
      single
      系列
      stf7nm60n
      晶體管類型
      1 n-channel
      商標(biāo)
      stmicroelectronics
      產(chǎn)品類型
      mosfet
      工廠包裝數(shù)量
      1000
      子類別
      mosfets
      單位重量
      330 mg
      可售賣地
      全國
      類型
      power mosfet
      型號
      stf7nm60n

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